現(xiàn)在人們對(duì)于各方面的要求很多，尤其是在節(jié)能環(huán)保方面。多晶硅、單晶硅清洗用水就是針對(duì)于光伏產(chǎn)業(yè)，比如人們最為熟悉的太陽(yáng)能系列產(chǎn)品，以下介紹幾種解決方案的工藝流程。

多晶硅、單晶硅清洗用水工藝流程

1、采用離子交換樹(shù)脂制備電子工業(yè)超純水的傳統(tǒng)水處理方式，其基本工藝流程為：原水→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→中間水箱→陽(yáng)床→陰床→混床(復(fù)床)→超純水箱→超純水泵→后置保安過(guò)濾器→用水點(diǎn)。

2、采用反滲透水處理與離子交換進(jìn)行組合制備電子工業(yè)超純水的方式，其基本工藝流程為：原水→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→中間水箱→反滲透→混床(復(fù)床)→超純水箱→超純水泵→后置保安過(guò)濾器→用水點(diǎn)。

3、采用反滲透與電去離子(EDI)進(jìn)行搭配制備電子工業(yè)超純水的的方式，這是一種制取超純水的最新工藝，也是一種環(huán)保，經(jīng)濟(jì)，發(fā)展?jié)摿薮蟮某兯苽涔に?，其基本工藝流程為：原?span style="margin: 0px; padding: 0px; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; word-wrap: break-word !important;">→原水箱→原水泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→中間水箱→反滲透→電去離子(EDI)→超純水箱→超純水泵→后置保安過(guò)濾器→用水點(diǎn)。

 多晶硅、單晶硅清洗用水工藝比較

目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于下面：

1、第一種采用離子交換樹(shù)脂其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。

2、第二種采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換，其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高，但離子再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。但對(duì)環(huán)境還是有一定的破壞性。

3、第三種采用反滲透作預(yù)處理再配上電去離子(EDI)裝置，這是目前制取超純水最經(jīng)濟(jì)，最環(huán)保用來(lái)制取超純水的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對(duì)環(huán)境沒(méi)什么破壞性。其缺點(diǎn)在于初投資相對(duì)以上兩種方式稍貴一點(diǎn)。

多晶硅、單晶硅清洗用水解決方案技術(shù)特點(diǎn)

1、超純水專(zhuān)用膜

    采用膜表面高分子嫁接技術(shù)，產(chǎn)水TOC在20PPB以下，更適用電子級(jí)超純水系統(tǒng)。

    高TOC脫除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC達(dá)標(biāo)沖洗時(shí)間短、先進(jìn)配套電源技術(shù)，能耗更低。

2、電去離子技術(shù)

    離子交換樹(shù)脂再生不需要使用昂貴且有危害的化學(xué)品，降低了能源和運(yùn)行費(fèi)用、設(shè)施的大小要求。

    采用新型均勻樹(shù)脂包填充，有效提高脫鹽率。

多晶硅_單晶硅清洗用水解決方案執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

出水水質(zhì)符合：

1、ASTM-D5127-2007《美國(guó)電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》

2、歐盟電子級(jí)超純水標(biāo)準(zhǔn)

3、中國(guó)電子工業(yè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)